GaNトランジスタの基礎と半導体物理…使い方ノウハウ解説&超高速ハイパワー実働基板付き

GaNトランジスタの基礎と半導体物理…使い方ノウハウ解説&超高速ハイパワー実働基板付き
―― 超高速ハイパワーの世界を切り開く-[講師特製!実働基板プレゼント]

   

【開催日】2017年11月30日(木) 10:00-17:00 1日コース
【セミナNo.】ES17-0130  【受講料】30,000円(税込)
【会場】東京・巣鴨 CQ出版社セミナ・ルーム [地図]
セミナ会場

 従来の半導体素子Siと比較し,ワイドバンドギャップ半導体であるGaNの優れた物性を解説します.GaNの特徴を生かした応用例として,高効率LEDの開発があります.GaNの登場によりLEDは爆発的に照明市場へ普及しました.まずは発光効率が理論限界に到達したGaN LEDの構造と動作原理を解説します.LEDのあとに登場したのが,ハイパワー超高速GaN HEMTです.GaN HEMTの構造や動作原理,課題などを解説します.まだ開発途上とはいえ,その次元の違う高性能GaN HEMTが市場に出回っています.

受講者全員に講師特製の実働基板プレゼント!
 ゴマ粒サイズの GaN HEMT のハーフブリッジを用いることで,超高速でハイパワーなスイッチングができます[100V,10A (1kW),Tr,Tf=2ns].その実力を実感してもらうために,受講者全員に講師が自作した超高速ハイパワー実働基板(持帰り品)を実際に測定してもらい,議論とともに理解を深めてもらいます.

1.半導体の基礎知識

 1.1 半導体とは
 1.2 化合物半導体
 1.3 pn接合,ヘテロ接合,量子井戸,レーザ,LED
2.GaN on Si

 2.1 基板としてのサファイア,SiC
 2.2 Si基板への挑戦.世界標準となったGaN on Si
3.GaN HEMT

 3.1 2次元電子ガス
 3.2 ノーマリオフへの歩みと構造
4.電流容量と高速性を仕様から読み解く

5.GaN HEMTの市場分野

6.講師実演および実習

 配布GaN HEMTの回路基板の説明と組立・波形観察・ディスカッション

●対象聴講者

 次世代パワー半導体であるGaNに興味があるエンジニア

●講演の目標

 GaNの優れた物性を学べます.
 超高速ハイパワーなGaNのスイッチングの実力を実感できます.

ゴマ粒サイズの GaN HEMT
ゴマ粒サイズの GaN HEMT
左が40V,10AのEPC1014  右が200V,3AのEPC1012


講師特製!超高速ハイパワー実働基板
講師特製!超高速ハイパワー実働基板(お持ち帰りできます)


【講師】
大塚 康二 氏〔(有) KOCHAN 〕
 1997年サンケン電気(株) 半導体研究所長,2003年研究所長(04,05年東京大学工学部応用化学科非常勤講師),2005年LED事業部長,現在は数社の技術顧問.


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コース

 1日コース

カテゴリ

 回路・電子部品
 半導体デバイス

シリーズ

 

特徴

 基板付き
 講師実演
 実習

キーワード

 アナログ
 エネルギー
 ボード
 研究開発
 高密度実装
 自動車
 消費電力
 制御
 電源
 電子部品

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