GaNトランジスタの基礎と半導体物理…使い方ノウハウ解説＆超高速ハイパワー実働基板付き
GaNトランジスタの基礎と半導体物理…使い方ノウハウ解説＆超高速ハイパワー実働基板付き
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【開催日】2017年11月30日(木) 10:00-17:00 1日コース
【セミナNo.】ES17-0130 【受講料】30,000円(税込)
【会場】東京・巣鴨 CQ出版社セミナ・ルーム [地図]
【セミナNo.】ES17-0130 【受講料】30,000円(税込)
【会場】東京・巣鴨 CQ出版社セミナ・ルーム [地図]
従来の半導体素子Siと比較し，ワイドバンドギャップ半導体であるGaNの優れた物性を解説します．GaNの特徴を生かした応用例として，高効率LEDの開発があります．GaNの登場によりLEDは爆発的に照明市場へ普及しました．まずは発光効率が理論限界に到達したGaN LEDの構造と動作原理を解説します．LEDのあとに登場したのが，ハイパワー超高速GaN HEMTです．GaN HEMTの構造や動作原理，課題などを解説します．まだ開発途上とはいえ，その次元の違う高性能GaN HEMTが市場に出回っています．
受講者全員に講師特製の実働基板プレゼント！
ゴマ粒サイズの GaN HEMT のハーフブリッジを用いることで，超高速でハイパワーなスイッチングができます［100V，10A （1kW)，Tr，Tf＝2ns］．その実力を実感してもらうために，受講者全員に講師が自作した超高速ハイパワー実働基板（持帰り品）を実際に測定してもらい，議論とともに理解を深めてもらいます．
受講者全員に講師特製の実働基板プレゼント！
ゴマ粒サイズの GaN HEMT のハーフブリッジを用いることで，超高速でハイパワーなスイッチングができます［100V，10A （1kW)，Tr，Tf＝2ns］．その実力を実感してもらうために，受講者全員に講師が自作した超高速ハイパワー実働基板（持帰り品）を実際に測定してもらい，議論とともに理解を深めてもらいます．
１．半導体の基礎知識
1.1 半導体とは
1.2 化合物半導体
1.3 pn接合，ヘテロ接合，量子井戸，レーザ，LED
２．GaN on Si
2.1 基板としてのサファイア，SiC
2.2 Si基板への挑戦．世界標準となったGaN on Si
３．GaN HEMT
3.1 2次元電子ガス
3.2 ノーマリオフへの歩みと構造
４．電流容量と高速性を仕様から読み解く
５．GaN HEMTの市場分野
６．講師実演および実習
配布GaN HEMTの回路基板の説明と組立・波形観察・ディスカッション
●対象聴講者
次世代パワー半導体であるGaNに興味があるエンジニア
●講演の目標
GaNの優れた物性を学べます．
超高速ハイパワーなGaNのスイッチングの実力を実感できます．
ゴマ粒サイズの GaN HEMT
左が40V,10AのEPC1014 右が200V,3AのEPC1012
講師特製！超高速ハイパワー実働基板（お持ち帰りできます）
1.1 半導体とは
1.2 化合物半導体
1.3 pn接合，ヘテロ接合，量子井戸，レーザ，LED
２．GaN on Si
2.1 基板としてのサファイア，SiC
2.2 Si基板への挑戦．世界標準となったGaN on Si
３．GaN HEMT
3.1 2次元電子ガス
3.2 ノーマリオフへの歩みと構造
４．電流容量と高速性を仕様から読み解く
５．GaN HEMTの市場分野
６．講師実演および実習
配布GaN HEMTの回路基板の説明と組立・波形観察・ディスカッション
●対象聴講者
次世代パワー半導体であるGaNに興味があるエンジニア
●講演の目標
GaNの優れた物性を学べます．
超高速ハイパワーなGaNのスイッチングの実力を実感できます．
ゴマ粒サイズの GaN HEMT
左が40V,10AのEPC1014 右が200V,3AのEPC1012
講師特製！超高速ハイパワー実働基板（お持ち帰りできます）
【講師】
大塚 康二 氏〔(有) KOCHAN 〕
1997年サンケン電気（株） 半導体研究所長，2003年研究所長（04，05年東京大学工学部応用化学科非常勤講師），2005年LED事業部長，現在は数社の技術顧問．
大塚 康二 氏〔(有) KOCHAN 〕
1997年サンケン電気（株） 半導体研究所長，2003年研究所長（04，05年東京大学工学部応用化学科非常勤講師），2005年LED事業部長，現在は数社の技術顧問．
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